История на развитието на транзисторите

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) е високотехнологично предприятие, специализирано в производството и продажбата на аксесоари за телефони. Нашите основни продукти включват зарядни устройства за пътуване, зарядни за автомобили, USB кабели, захранващи банки и други цифрови продукти. Всички продукти са безопасни и надеждни, с уникален стил. Продуктите преминават сертификати като CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick и т.н. , Ако се интересувате, можете да се свържете директно с ceo@schitec.com. 

Зареждайте безопасно със SChitec

История на развитието на транзисторите

На 23 декември 1947 г. в Bell Labs в Мъри Хил, Ню Джърси, трима учени – д-р. Бадинг, д-р Брайтън и д-р Шоули експериментираха нервно и методично. Те експериментират с усилване на звукови сигнали с полупроводникови кристали в проводникови вериги. Трима учени бяха изненадани да открият, че малко количество ток, преминаващо през изобретеното от тях устройство, може да контролира много по-голям ток, протичащ през другата част, като по този начин създава ефект на усилване. Това устройство е епохално постижение в историята на науката и техниката – транзистор. Тъй като е изобретен в навечерието на Коледа и има толкова голямо влияние върху бъдещия живот на хората, той се нарича "коледен подарък за света". Така тримата учени спечелиха Нобеловата награда за физика през 1956 г.

[2] Ново изследване установи, че слой от съответния материал може да бъде отложен извън субстрата в изходящия край на транзисторния електрон, за да образува полупроводниково охладена PN структура, тъй като нивото на енергията на електроните на N материала е ниско и енергията на електроните нивото на P материала е високо. При протичане е необходимо да се изтегли топлина от субстрата, което осигурява добър начин за разсейване на топлината от ядрото на транзистора. Тъй като отнетата топлина е пропорционална на големината на тока, индустрията също нарича това технология за охлаждане на "електронна кръв". Новите охлаждащи триоди се наричат ​​N-PNP или NPN-P, в зависимост от полярността на добавения нов материал.

Транзисторите насърчават и предизвикват "революция в твърдото състояние", която от своя страна движи индустрията на полупроводниковата електроника в световен мащаб. Като основен компонент, той е приложен преди всичко в комуникационните инструменти по своевременен и универсален начин и е довел до огромни икономически ползи. Тъй като транзисторите напълно промениха структурата на електронните схеми, се появиха интегрални схеми и големи интегрални схеми и производството на устройства с висока точност, като високоскоростни електронни компютри, стана реалност.