Времето на платото на Милър е почти нула (вижте Фигура 3) и общата загуба при превключване е намалена с най-малко 70%
Oct 19, 2022| Времето на платото на Милър е почти нула (вижте Фигура 3) и общата загуба при превключване е намалена с най-малко 70%
Както е показано в таблица 1, със същия RDS(ON), галиевият нитрид има по-малък паразитен капацитет, а Ciss и Crss са съответно 1/12 и 1/23 от Si CoolMOS, което води до по-бърза скорост на превключване. В рамото на бързия мост BTPPFC времето за припокриване на тока и напрежението намалява с повече от 88% (вижте Фигура 2). Времето на платото на Милър е почти нула (вижте Фигура 3) и общата загуба при превключване е намалена с най-малко 70%.
Coss на InnoGaN е по-малък и има по-добра линейност (вижте Фигура 4). Когато Vds е ниско, Coss на GaN е много по-малък от този на Si MOS и Si ще има процес на мутация на наклона. Може да се види от формата на вълната на системата, че загубата на превключване при припокриване на GaN е много по-малка от тази на Si MOS, а Dv/dt на GaN в t2-t3 сегмента е по-малък от този на Si MOS, така че Генерираният EMI шум също е по-малък.
