SiC високо напрежение SBD

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) е високотехнологично предприятие, специализирано в производството и продажбата на аксесоари за телефони. Нашите основни продукти включват зарядни устройства за пътуване, зарядни за автомобили, USB кабели, захранващи банки и други цифрови продукти. Всички продукти са безопасни и надеждни, с уникален стил. Продуктите преминават сертификати като CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick и т.н. , Ако се интересувате, можете да се свържете директно с ceo@schitec.com.

Зареждайте безопасно със SChitec

SiC високо напрежение SBD

Тъй като височината на бариерата и критичното електрическо поле на Si и GaAs са по-ниски от тези на широколентовия полупроводник, пробивното напрежение и обратният ток на утечка на SBD, изработен от Si и GaAs, са по-ниски и по-големи. Материалът от силициев карбид (SIC) има широка забранена лента (2,2ev-3.2ev), високо критично електрическо поле на пробив (2V / cm-4 × 106v / cm), висока скорост на насищане (2 × 107 cm / s), висока топлопроводимост от 4,9 w / (cm · K), силна устойчивост на химическа корозия, висока твърдост и сравнително зрял процес на подготовка и производство на материала. Това е идеален нов материал за производство на SBD с устойчивост на високо напрежение, нисък спад на напрежението напред и висока скорост на превключване.

През 1999 г. университетът Purdue в Съединените щати разработи 4.9kv SiC Power SBD в проекта Muri, финансиран от военноморските сили на Съединените щати, който направи фундаментален пробив в издръжливостта на напрежение на SBD. Правият спад на напрежението и обратният ток на утечка на SBD директно влияят върху загубата на мощност на SBD токоизправителя и ефективността на системата. Противоречиво е, че ниското напрежение в права посока изисква ниска височина на бариерата на Шотки, а високото обратно напрежение на пробив изисква възможно най-висока височина на бариерата. Следователно изборът на бариерен метал е много важен, тъй като трябва да се разглежда като компромис. Ni и Ti са идеални бариерни метали на Шотки за n-тип SiC. Тъй като височината на бариерата на Ni / SiC е по-висока от тази на Ti / SiC, първият има по-нисък обратен ток на утечка, а вторият има по-малък спад на напрежението в посока напред. За да се получи sicsbd с ниско напрежение в права посока и обратен ток на утечка, дизайнът на sicsbd с Ni контакт и Ti контакт и структура с биметален жлеб с висока/ниска бариера (DMT) е осъществим. С тази структура обратният ток на утечка на sicsbd е 75 пъти по-малък от този на планарния токоизправител на Ti Schottky при 300 V обратно отклонение, а токът на утечка в права посока е подобен на този на nisbd. Използвайки 6h sicsbd със защитен пръстен, напрежението на пробив е до 550V.

Според докладите cmzetterling et al. Епитаксиран 10 μ m n-тип слой върху 6h SiC субстрат и след това формиран серия от успоредни P + ленти чрез йонна имплантация. Най-горният бариерен метал е ti. Тази структура е подобна на тази на преходното устройство на Шотки (JBS) на фигура 2. Предните характеристики са същите като тези на Ti бариерата на Шотки, а обратният ток на утечка е между PN и Ti бариерата на Шотки, Плътността на съпротивлението при включено състояние е 20 m Ω · cm2, блокиращото напрежение е 1,1 kV, а плътността на тока на утечка е 10 μ A / cm2 при 200 V обратно отклонение. В допълнение, R. rayhunathon съобщава за резултатите от развитието на p-тип 4H? Sicsbd и 6h? Sicsbd. Обратното напрежение на пробив на p-тип 4h-sicsbd и 6h-sicsbd с Ti като метална бариера е съответно 600 V и 540 V, а плътността на тока на утечка при обратно отклонение от 100 V е по-малко от 0,1 μ A / cm2 (25 градуса).

SiC е идеален материал за производство на силови полупроводникови устройства. На 4 май 2000 г. Cree от Съединените щати и Kansai Electric Power Company от Япония обявиха съвместно успешното разработване на 12.3kv SiC силови диоди, с преден спад на напрежението от VF от 4.9v при плътност на тока от 100A / cm2. Това напълно показва голямата мощност на SiC материала за производство на мощни диоди.

В SBD устройствата с SiC и JBS структура имат голям потенциал за развитие. В областта на диодите за високо напрежение SBD определено ще заеме място.